TPCC8065-H,LQ(S - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TPCC8065-H,LQ(S
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	13A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	700mW (Ta), 18W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.4 mOhm @ 6.5A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquet / cas	8-PowerVDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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