TPCC8009,LQ(O

TPCC8009,LQ(O - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TPCC8009,LQ(O
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
Code de date
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3771 pcs
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TPCC8009,LQ(O Description détaillée

Numéro d'article TPCC8009,LQ(O
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 24A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1270pF @ 10V
Vgs (Max) -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 12A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquet / cas 8-PowerVDFN
Poids -
Pays d'origine -

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