TPCC8008(TE12L,QM)

TPCC8008(TE12L,QM) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TPCC8008(TE12L,QM)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
7500 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.4805/pcs
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TPCC8008(TE12L,QM) Description détaillée

Numéro d'article TPCC8008(TE12L,QM)
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 25A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1A
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 10V
Vgs (Max) ±25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8 mOhm @ 12.5A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-TSON
Paquet / cas 8-VDFN Exposed Pad
Poids -
Pays d'origine -

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