TPCC8008(TE12L,QM) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TPCC8008(TE12L,QM)
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	25A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1A
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1600pF @ 10V
Vgs (Max)	±25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	700mW (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8 mOhm @ 12.5A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-TSON
Paquet / cas	8-VDFN Exposed Pad
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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