TK12P60W,RVQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK12P60W,RVQ
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	11.5A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 600µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	Super Junction
Dissipation de puissance (Max)	100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	340 mOhm @ 5.8A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	DPAK
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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