TK12P60W,RVQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK12P60W,RVQ
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	11.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 600µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	Super Junction
Verlustleistung (Max)	100W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	340 mOhm @ 5.8A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DPAK
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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