TK12A50E,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TK12A50E,S4X
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1.2mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	45W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	520 mOhm @ 6A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220SIS
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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