TK10A60W,S4X

TK10A60W,S4X - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TK10A60W,S4X
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
TK10A60W,S4X Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
TK10A60W,S4X.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
15245 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.7117/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour TK10A60W,S4X

TK10A60W,S4X Description détaillée

Numéro d'article TK10A60W,S4X
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9.7A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 4.9A, 10V
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR TK10A60W,S4X