TK100E10N1,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TK100E10N1,S1X
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	100A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8800pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 mOhm @ 50A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220
Paquet / cas	TO-220-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TK1005800000G	Amphenol Anytek	TERM BLK 10P SIDE ENTRY 5MM PCB	Détails
TK100A06N1,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 100A TO-220	Détails
TK100A08N1,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS	Détails
TK100A10N1,S4X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 100V 100A TO-220	Détails
TK100E06N1,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 60V 100A TO-220	Détails
TK100E08N1,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 80V 100A TO220	Détails
TK100E10N1,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 100V 100A TO220	Détails
TK100L60W,VQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)	Détails
TK100S04N1L,LQ	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 100A DPAK	Détails