| Número de pieza | TK10A60W,S4X |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.7A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 500µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 300V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 30W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220 |
| Paquete / caja | TO-220-3 Full Pack |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
TK1005800000G | Amphenol Anytek | TERM BLK 10P SIDE ENTRY 5MM PCB | Detalles |
|
TK100A06N1,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 | Detalles |
|
TK100A08N1,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS | Detalles |
|
TK100A10N1,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 | Detalles |
 |
TK100E06N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 60V 100A TO-220 | Detalles |
|
TK100E08N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 80V 100A TO220 | Detalles |
|
TK100E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 100A TO220 | Detalles |
 |
TK100L60W,VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L) | Detalles |
 |
TK100S04N1L,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 100A DPAK | Detalles |
 |
TK10200MTL | TOTK | TK10200MTL TOTK SOP/8 New Original Stocks | Detalles |
