SSM5N16FUTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	SSM5N16FUTE85LF
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9.3pF @ 3V
Vgs (Max)	±10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 10mA, 4V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	USV
Paquet / cas	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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