SSM5N16FUTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	SSM5N16FUTE85LF
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9.3pF @ 3V
Vgs (Max)	±10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	200mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 10mA, 4V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	USV
Paket / Fall	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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SSM5N15FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 100MA ESV	Einzelheiten
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