SSM5N16FUTE85LF

SSM5N16FUTE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
SSM5N16FUTE85LF
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET N-CH 20V 0.1A USV
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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SSM5N16FUTE85LF Descrizione dettagliata

Numero di parte SSM5N16FUTE85LF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9.3pF @ 3V
Vgs (massimo) ±10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 10mA, 4V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore USV
Pacchetto / caso 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Peso -
Paese d'origine -

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