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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés › RN2910FE,LF(CB
RN2910FE,LF(CB

RN2910FE,LF(CB - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
RN2910FE,LF(CB
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
20000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0268/pcs
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RN2910FE,LF(CB Description détaillée

Numéro d'article RN2910FE,LF(CB
État de la pièce Active
Type de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) -
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Fréquence - Transition 200MHz
Puissance - Max 100mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur ES6
Poids -
Pays d'origine -

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