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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung › RN2910FE,LF(CB
RN2910FE,LF(CB

RN2910FE,LF(CB - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
RN2910FE,LF(CB
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
RN2910FE,LF(CB PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
20000 pcs
Referenzpreis
USD 0.0268/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

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RN2910FE,LF(CB detaillierte Beschreibung

Artikelnummer RN2910FE,LF(CB
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 4.7k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 200MHz
Leistung max 100mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket ES6
Gewicht -
Ursprungsland -

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Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
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