HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
HN1B04FU-GR,LF
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
431291 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0604/pcs
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HN1B04FU-GR,LF Description détaillée

Numéro d'article HN1B04FU-GR,LF
État de la pièce Active
Type de transistor NPN, PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 150mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Puissance - Max 200mW
Fréquence - Transition 150MHz
Température de fonctionnement 125°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur US6
Poids -
Pays d'origine -

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