HN1B01F-GR(TE85L,F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	HN1B01F-GR(TE85L,F
État de la pièce	Discontinued at Digi-Key
Type de transistor	NPN, PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	150mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 10mA, 100mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
Puissance - Max	300mW
Fréquence - Transition	120MHz
Température de fonctionnement	125°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SC-74, SOT-457
Package de périphérique fournisseur	SM6
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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