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Accueil › catégories de produits › Dispositifs contre les surtensions, les surintensités et la surchauffe › TVS - Diodes › DF2B6USL,L3F
DF2B6USL,L3F

DF2B6USL,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
DF2B6USL,L3F
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
ESD DIODE BI-DIRECTIONAL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
DF2B6USL,L3F Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
TVS - Diodes
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
50000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.0357/pcs
Notre prix
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DF2B6USL,L3F Description détaillée

Numéro d'article DF2B6USL,L3F
État de la pièce Active
Type Zener
Canaux unidirectionnels -
Canaux bidirectionnels 1
Tension - Inverser l'écart (Typ) 5.5V (Max)
Tension - Panne (Min) 5.7V
Tension - Serrage (Max) @ Ipp 20V
Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) 1.5A (8/20µs)
Puissance - Impulsion de crête 30W
Protection de ligne électrique No
Applications -
Capacité @ Fréquence 1.5pF @ 1MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 2-XFDFN
Package de périphérique fournisseur SL2
Poids -
Pays d'origine -

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