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CUS08F30,H3F

CUS08F30,H3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
CUS08F30,H3F
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
CUS08F30,H3F Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Diodes - Redresseurs - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
90000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.058/pcs
Notre prix
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CUS08F30,H3F Description détaillée

Numéro d'article CUS08F30,H3F
État de la pièce Active
Type de diode Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 30V
Courant - Rectifié moyen (Io) 800mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 220mV @ 10mA
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 50µA @ 30V
Capacitance @ Vr, F 170pF @ 0V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SC-76, SOD-323
Package de périphérique fournisseur USC
Température de fonctionnement - Jonction 125°C (Max)
Poids -
Pays d'origine -

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