CUS08F30,H3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	CUS08F30,H3F
État de la pièce	Active
Type de diode	Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	30V
Courant - Rectifié moyen (Io)	800mA
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	220mV @ 10mA
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	-
Courant - Fuite inverse @ Vr	50µA @ 30V
Capacitance @ Vr, F	170pF @ 0V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SC-76, SOD-323
Package de périphérique fournisseur	USC
Température de fonctionnement - Jonction	125°C (Max)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
CUS01	TOSHIBA	CUS01 TOSHIBA SOD123 New Original Stocks	Détails
CUS01(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT	Détails
CUS02	TOSHIBA	CUS02 TOSHIBA SOD323 New Original Stocks	Détails
CUS02(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT	Détails
CUS03(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 40V 700MA US-FLAT	Détails
CUS04(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 60V 700MA US-FLAT	Détails
CUS05(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 20V 1A US-FLAT	Détails
CUS05F30,H3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC	Détails
CUS05F40,H3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 40V 500MA USC	Détails
CUS05S30,H3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC	Détails