CUS08F30,H3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza	CUS08F30,H3F
Estado de la pieza	Active
Tipo de diodo	Schottky
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max)	30V
Corriente - promedio rectificado (Io)	800mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si	220mV @ 10mA
Velocidad	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)	-
Current - Reverse Leakage @ Vr	50µA @ 30V
Capacitancia @ Vr, F	170pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SC-76, SOD-323
Paquete de dispositivo del proveedor	USC
Temperatura de funcionamiento - unión	125°C (Max)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
CUS01	TOSHIBA	CUS01 TOSHIBA SOD123 New Original Stocks	Detalles
CUS01(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT	Detalles
CUS02	TOSHIBA	CUS02 TOSHIBA SOD323 New Original Stocks	Detalles
CUS02(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT	Detalles
CUS03(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 40V 700MA US-FLAT	Detalles
CUS04(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 60V 700MA US-FLAT	Detalles
CUS05(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 20V 1A US-FLAT	Detalles
CUS05F30,H3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC	Detalles
CUS05F40,H3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 40V 500MA USC	Detalles
CUS05S30,H3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC	Detalles