CUS08F30,H3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	CUS08F30,H3F
Teilstatus	Active
Dioden-Typ	Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	30V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)	800mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	220mV @ 10mA
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	50µA @ 30V
Kapazität @ Vr, F	170pF @ 0V, 1MHz
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SC-76, SOD-323
Lieferantengerätepaket	USC
Betriebstemperatur - Kreuzung	125°C (Max)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
CUS01	TOSHIBA	CUS01 TOSHIBA SOD123 New Original Stocks	Einzelheiten
CUS01(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT	Einzelheiten
CUS02	TOSHIBA	CUS02 TOSHIBA SOD323 New Original Stocks	Einzelheiten
CUS02(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 30V 1A USFLAT	Einzelheiten
CUS03(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 40V 700MA US-FLAT	Einzelheiten
CUS04(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 60V 700MA US-FLAT	Einzelheiten
CUS05(TE85L,Q,M)	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 20V 1A US-FLAT	Einzelheiten
CUS05F30,H3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC	Einzelheiten
CUS05F40,H3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 40V 500MA USC	Einzelheiten
CUS05S30,H3F	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC	Einzelheiten