2SD1221-Y(Q)

2SD1221-Y(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
2SD1221-Y(Q)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS NPN 60V 3A PW MOLD
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
2SD1221-Y(Q).pdf
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3649 pcs
Prix ​​de référence
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2SD1221-Y(Q) Description détaillée

Numéro d'article 2SD1221-Y(Q)
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 3A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 300mA, 3A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100µA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 5V
Puissance - Max 1W
Fréquence - Transition 3MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur PW-MOLD
Poids -
Pays d'origine -

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