2SD1221-Y(Q)

2SD1221-Y(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
2SD1221-Y(Q)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS NPN 60V 3A PW MOLD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
2SD1221-Y(Q) PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
2SD1221-Y(Q).pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4390 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern 2SD1221-Y(Q)

2SD1221-Y(Q) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2SD1221-Y(Q)
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 300mA, 3A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 5V
Leistung max 1W
Frequenz - Übergang 3MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket PW-MOLD
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR 2SD1221-Y(Q)