2SA1930,LBS2DIAQ(J - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	2SA1930,LBS2DIAQ(J
État de la pièce	Last Time Buy
Type de transistor	PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	2A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	180V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 100mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (Max)	5µA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 100mA, 5V
Puissance - Max	2W
Fréquence - Transition	200MHz
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-220-3 Full Pack
Package de périphérique fournisseur	TO-220NIS
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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