2SA1930,LBS2DIAQ(J - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	2SA1930,LBS2DIAQ(J
Teilstatus	Last Time Buy
Transistor-Typ	PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	180V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1V @ 100mA, 1A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)	5µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 100mA, 5V
Leistung max	2W
Frequenz - Übergang	200MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Paket / Fall	TO-220-3 Full Pack
Lieferantengerätepaket	TO-220NIS
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
2SA1930	TOS	2SA1930 TOS TO-220.. New Original Stocks	Einzelheiten
2SA1930(LBS2MATQ,M	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS PNP 2A 180V TO220-3	Einzelheiten
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