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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › 2SA1930(Q,M)
2SA1930(Q,M)

2SA1930(Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
2SA1930(Q,M)
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS PNP 180V 2A TO220NIS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
2SA1930(Q,M) PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
2SA1930(Q,M).pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
54133 pcs
Referenzpreis
USD 0.4851/pcs
Unser Preis
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2SA1930(Q,M) detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2SA1930(Q,M)
Teilstatus Last Time Buy
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 180V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Leistung max 2W
Frequenz - Übergang 200MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Lieferantengerätepaket TO-220NIS
Gewicht -
Ursprungsland -

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