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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln › 2SA1013-O,T6MIBF(J
2SA1013-O,T6MIBF(J

2SA1013-O,T6MIBF(J - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
2SA1013-O,T6MIBF(J
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
TRANS PNP 1A 160V TO226-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
2SA1013-O,T6MIBF(J PDF-Online-Browsing
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2SA1013-O,T6MIBF(J.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3918 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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2SA1013-O,T6MIBF(J detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2SA1013-O,T6MIBF(J
Teilstatus Last Time Buy
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 160V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 50mA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 200mA, 5V
Leistung max 900mW
Frequenz - Übergang 50MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Lieferantengerätepaket TO-92L
Gewicht -
Ursprungsland -

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