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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples › 2SA1930(LBS2MATQ,M
2SA1930(LBS2MATQ,M

2SA1930(LBS2MATQ,M - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
2SA1930(LBS2MATQ,M
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
TRANS PNP 2A 180V TO220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
2SA1930(LBS2MATQ,M Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
2SA1930(LBS2MATQ,M.pdf
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4222 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
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2SA1930(LBS2MATQ,M Description détaillée

Numéro d'article 2SA1930(LBS2MATQ,M
État de la pièce Last Time Buy
Type de transistor PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 2A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 180V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5µA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 5V
Puissance - Max 2W
Fréquence - Transition 200MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-220-3 Full Pack
Package de périphérique fournisseur TO-220NIS
Poids -
Pays d'origine -

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