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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル › 2SA1930(LBS2MATQ,M
2SA1930(LBS2MATQ,M

2SA1930(LBS2MATQ,M - Toshiba Semiconductor and Storage

品番
2SA1930(LBS2MATQ,M
メーカー
Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明
TRANS PNP 2A 180V TO220-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
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データシートPDFダウンロード
2SA1930(LBS2MATQ,M.pdf
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3546 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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2SA1930(LBS2MATQ,M 詳細な説明

品番 2SA1930(LBS2MATQ,M
部品ステータス Last Time Buy
トランジスタタイプ PNP
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 2A
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 180V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 1V @ 100mA, 1A
電流 - コレクタ遮断（最大） 5µA (ICBO)
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 100 @ 100mA, 5V
電力 - 最大 2W
周波数 - 遷移 200MHz
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
サプライヤデバイスパッケージ TO-220NIS
重量 -
原産国 -

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