TSM600N25ECH C5G

TSM600N25ECH C5G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article
TSM600N25ECH C5G
Fabricant
Taiwan Semiconductor Corporation
Brève description
MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
203270 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.81/pcs
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TSM600N25ECH C5G Description détaillée

Numéro d'article TSM600N25ECH C5G
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 423pF @ 25V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 52W (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-251 (IPAK)
Paquet / cas TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids -
Pays d'origine -

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