TSM600N25ECH C5G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article	TSM600N25ECH C5G
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.4nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	423pF @ 25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	52W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-251 (IPAK)
Paquet / cas	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TSM600-250-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH 0.250A HOLD SMD	Détails
TSM600-250-RA-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH 0.250A HOLD SMD	Détails
TSM600-250F-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH 250V 250MA HOLD SMD	Détails
TSM600-250F-RA-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH 250V 250MA HOLD SMD	Détails
TSM600-400F-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH PTC RESET .400A	Détails
TSM600N25ECH C5G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251	Détails
TSM600P03CS RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP	Détails