TSM600P03CS RLG - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article	TSM600P03CS RLG
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	4.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	9.6nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	560pF @ 15V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.1W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-SOP
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TSM600-250-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH 0.250A HOLD SMD	Détails
TSM600-250-RA-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH 0.250A HOLD SMD	Détails
TSM600-250F-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH 250V 250MA HOLD SMD	Détails
TSM600-250F-RA-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH 250V 250MA HOLD SMD	Détails
TSM600-400F-2	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH PTC RESET .400A	Détails
TSM600N25ECH C5G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 250V 8A TO251	Détails
TSM600P03CS RLG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP	Détails
TSM6025AEUR+	Silicon Labs	IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3	Détails
TSM6025AEUR+T	Silicon Labs	IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3	Détails
TSM6025BEUR+	Silicon Labs	IC VREF SERIES 2.5V SOT23-3	Détails