S1GLR2G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article	S1GLR2G
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Courant - Rectifié moyen (Io)	1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.1V @ 1A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	1.8µs
Courant - Fuite inverse @ Vr	5µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F	9pF @ 4V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-219AB
Package de périphérique fournisseur	Sub SMA
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
S1G	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 400V 1A SMA	Détails
S1G M2G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Détails
S1G R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Détails
S1G-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 400V 1A SMA	Détails
S1G-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 400V 1A SMA	Détails
S1G-6904LF/11T	VISHAY	S1G-6904LF/11T VISHAY SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
S1G-E3	vishay	S1G-E3 vishay DO214 New Original Stocks	Détails
S1G-E3/1	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Détails
S1G-E3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Détails
S1G-E3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Détails