S1G-E3/5AT - Vishay Semiconductor Diodes Division

Numéro d'article	S1G-E3/5AT
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Courant - Rectifié moyen (Io)	1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.1V @ 1A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	1.8µs
Courant - Fuite inverse @ Vr	1µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F	12pF @ 4V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-214AC, SMA
Package de périphérique fournisseur	DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
S1G-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 400V 1A SMA	Détails
S1G-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 400V 1A SMA	Détails
S1G-6904LF/11T	VISHAY	S1G-6904LF/11T VISHAY SMD or Through Hole New Original Stocks	Détails
S1G-E3	vishay	S1G-E3 vishay DO214 New Original Stocks	Détails
S1G-E3/1	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Détails
S1G-E3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Détails
S1G-E3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Détails
S1G-F	SMC Diode Solutions	SMT GLASS PASSIVATED RECTIFIER	Détails
S1G-JR2	Taiwan Semiconductor Corporation	STANDARD RECOVERY RECTIFIER	Détails
S1G-JR3	Taiwan Semiconductor Corporation	STANDARD RECOVERY RECTIFIER	Détails