S1GLR2G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numero di parte	S1GLR2G
Stato parte	Active
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	400V
Corrente - Rettificato medio (Io)	1A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 1A
Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	1.8µs
Corrente - Perdita inversa @ Vr	5µA @ 400V
Capacità @ Vr, F	9pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	DO-219AB
Pacchetto dispositivo fornitore	Sub SMA
Temperatura operativa - Giunzione	-55°C ~ 175°C
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
S1G	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 400V 1A SMA	Dettagli
S1G M2G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Dettagli
S1G R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Dettagli
S1G-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 400V 1A SMA	Dettagli
S1G-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 400V 1A SMA	Dettagli
S1G-6904LF/11T	VISHAY	S1G-6904LF/11T VISHAY SMD or Through Hole New Original Stocks	Dettagli
S1G-E3	vishay	S1G-E3 vishay DO214 New Original Stocks	Dettagli
S1G-E3/1	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Dettagli
S1G-E3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Dettagli
S1G-E3/61T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC	Dettagli