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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - IGBT - Simples › STGW80H65DFB
STGW80H65DFB

STGW80H65DFB - STMicroelectronics

Numéro d'article
STGW80H65DFB
Fabricant
STMicroelectronics
Brève description
IGBT 650V 120A 469W TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
STGW80H65DFB Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - IGBT - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3426 pcs
Prix ​​de référence
USD 7.5/pcs
Notre prix
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STGW80H65DFB Description détaillée

Numéro d'article STGW80H65DFB
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 120A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 240A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
Puissance - Max 469W
Échange d'énergie 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 414nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 84ns/280ns
Condition de test 400V, 80A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 85ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur TO-247
Poids -
Pays d'origine -

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