RUE002N05TL - Rohm Semiconductor

Numéro d'article	RUE002N05TL
État de la pièce	Not For New Designs
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	50V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	25pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	EMT3
Paquet / cas	SC-75, SOT-416
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
RUE002N02	ROHM	RUE002N02 ROHM SOT423 New Original Stocks	Détails
RUE002N02TL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 20V .2A EMT3	Détails
RUE002N05	ROHM	RUE002N05 ROHM SOT423 New Original Stocks	Détails
RUE002N05TL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3	Détails
RUE003N02	ROHM	RUE003N02 ROHM SOT423 New Original Stocks	Détails
RUE003N02TL	Rohm Semiconductor	MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3	Détails
RUE003N02_1	ROHM	1.8V Drive Nch MOSFET	Détails
RUE090	Littelfuse Inc.	POLYSWITCH RUE SERIES 0.90A	Détails