RUE002N05TL - Rohm Semiconductor

Número de pieza	RUE002N05TL
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	50V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	200mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	25pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	EMT3
Paquete / caja	SC-75, SOT-416
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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