RUE002N05TL detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
RUE002N05TL |
Teilstatus |
Not For New Designs |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
50V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
200mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
1.2V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
25pF @ 10V |
Vgs (Max) |
±8V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
150mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
EMT3 |
Paket / Fall |
SC-75, SOT-416 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR RUE002N05TL