HP8K22TB

HP8K22TB - Rohm Semiconductor

Numéro d'article
HP8K22TB
Fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
30V NCH+NCH MID POWER MOSFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
6250 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.5013/pcs
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HP8K22TB Description détaillée

Numéro d'article HP8K22TB
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique -
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 27A, 57A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.8nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 15V
Puissance - Max 25W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur 8-HSOP
Poids -
Pays d'origine -

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