HP8KA1TB

HP8KA1TB - Rohm Semiconductor

Numéro d'article
HP8KA1TB
Fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
78380 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.335/pcs
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HP8KA1TB Description détaillée

Numéro d'article HP8KA1TB
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2550pF @ 15V
Puissance - Max 3W
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur 8-HSOP
Poids -
Pays d'origine -

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