Numero di parte | HP8K22TB |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27A, 57A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.8nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 15V |
Potenza - Max | 25W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-HSOP |
Peso | - |
Paese d'origine | - |