NVMFS4841NWFT1G

NVMFS4841NWFT1G - ON Semiconductor

Numéro d'article
NVMFS4841NWFT1G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
MOSFET N-CH 30V 89A SO8FL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
NVMFS4841NWFT1G Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
51031 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.533/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour NVMFS4841NWFT1G

NVMFS4841NWFT1G Description détaillée

Numéro d'article NVMFS4841NWFT1G
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 16A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1436pF @ 12V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 3.7W (Ta), 112W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR NVMFS4841NWFT1G