NVMFS4841NWFT1G - ON Semiconductor

Numéro d'article	NVMFS4841NWFT1G
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	16A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1436pF @ 12V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	3.7W (Ta), 112W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / cas	8-PowerTDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
NVMFS4841NT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 89A SO-8FL	Détails
NVMFS4841NWFT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 89A SO8FL	Détails
NVMFS4C01NT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL	Détails
NVMFS4C01NT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL	Détails
NVMFS4C01NWFT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL	Détails
NVMFS4C01NWFT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL	Détails
NVMFS4C03NT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL	Détails
NVMFS4C03NT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL	Détails
NVMFS4C03NWFT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL	Détails
NVMFS4C03NWFT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL	Détails