NVMFS4841NWFT1G - ON Semiconductor

номер части	NVMFS4841NWFT1G
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	16A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	17nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	1436pF @ 12V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	3.7W (Ta), 112W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 30A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Упаковка / чехол	8-PowerTDFN
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
NVMFS4841NT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 89A SO-8FL	подробности
NVMFS4841NWFT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 89A SO8FL	подробности
NVMFS4C01NT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL	подробности
NVMFS4C01NT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL	подробности
NVMFS4C01NWFT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL	подробности
NVMFS4C01NWFT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL	подробности
NVMFS4C03NT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL	подробности
NVMFS4C03NT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL	подробности
NVMFS4C03NWFT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL	подробности
NVMFS4C03NWFT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL	подробности