NVMFS4C03NWFT1G - ON Semiconductor

Numéro d'article	NVMFS4C03NWFT1G
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	31.4A (Ta), 143A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	45.2nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3071pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	3.71W (Ta), 77W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1 mOhm @ 30A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / cas	8-PowerTDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
NVMFS4841NT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 89A SO-8FL	Détails
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