NVATS5A112PLZT4G - ON Semiconductor

Numéro d'article	NVATS5A112PLZT4G
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	27A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	33.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1450pF @ 20V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	43 mOhm @ 13A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	ATPAK
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
NVATS5A106PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	Détails
NVATS5A107PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	Détails
NVATS5A108PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	Détails
NVATS5A112PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	Détails
NVATS5A113PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	Détails
NVATS5A114PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	Détails
NVATS5A302PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	Détails
NVATS5A304PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	Détails