NVATS5A112PLZT4G Descripción detallada
Número de pieza |
NVATS5A112PLZT4G |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
P-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
27A (Ta) |
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) |
4V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.6V @ 1mA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
33.5nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
1450pF @ 20V |
Vgs (Max) |
±20V |
Característica FET |
- |
Disipación de potencia (Máx) |
48W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
43 mOhm @ 13A, 10V |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor |
ATPAK |
Paquete / caja |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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