NVATS5A108PLZT4G - ON Semiconductor

Numéro d'article	NVATS5A108PLZT4G
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	77A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	79.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3850pF @ 20V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.4 mOhm @ 35A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	ATPAK
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
NVATS5A106PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	Détails
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