NVATS5A108PLZT4G - ON Semiconductor

Numero di parte	NVATS5A108PLZT4G
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	77A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	79.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3850pF @ 20V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.4 mOhm @ 35A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	ATPAK
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
NVATS5A106PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	Dettagli
NVATS5A107PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	Dettagli
NVATS5A108PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	Dettagli
NVATS5A112PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	Dettagli
NVATS5A113PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	Dettagli
NVATS5A114PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	Dettagli
NVATS5A302PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	Dettagli
NVATS5A304PLZT4G	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 30V DPAK	Dettagli