NDT01N60T1G - ON Semiconductor

Numéro d'article	NDT01N60T1G
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	400mA (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.2nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	160pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 Ohm @ 200mA, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-223 (TO-261)
Paquet / cas	TO-261-4, TO-261AA
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
NDT014	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4	Détails
NDT014L	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223	Détails
NDT01N60T1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223	Détails
NDT02N40T1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 400V 0.4A SOT223	Détails
NDT02N60ZT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223-4	Détails
NDT02N60ZT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223-4	Détails
NDT03N40ZT1G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4	Détails
NDT03N40ZT3G	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4	Détails