NDT01N60T1G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
NDT01N60T1G |
Teilstatus |
Obsolete |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
600V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
400mA (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3.7V @ 50µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
7.2nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
160pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±30V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
2.5W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
8.5 Ohm @ 200mA, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
SOT-223 (TO-261) |
Paket / Fall |
TO-261-4, TO-261AA |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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