FCH041N65EFLN4 - ON Semiconductor

Numéro d'article	FCH041N65EFLN4
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	76A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 7.6mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	298nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	12560pF @ 100V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	595W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-247-4
Paquet / cas	TO-247-4
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
FCH040N65S3-F155	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3	Détails
FCH040N65S3_F155	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3	Détails
FCH041N60E	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N CH 600V 77A TO-247	Détails
FCH041N60F	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N CH 600V 76A TO247	Détails
FCH041N60F-F085	ON Semiconductor	MOSFET N CH 600V 76A TO247	Détails
FCH041N60F_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N CH 600V 76A TO247	Détails
FCH041N65EF-F155	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 76A TO247	Détails
FCH041N65EFL4	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 76A	Détails
FCH041N65EFLN4	ON Semiconductor	SF2 650V 44MOHM F TO2474L	Détails
FCH041N65EF_F155	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 76A TO247	Détails